Tunnelling through quantum dots

verfasst von

R. H. Blick, T. Schmidt, R. Haug, K. Von Klitzing

Abstract

Tunnelling through single and coupled GaAs quantum dots is used to analyse the electronic properties of artificial atoms and molecules. In addition we demonstrate that a strongly localized dot can be used as a spectrometer with high spatial and energy resolution for the determination of the local density of states in a disordered semiconductor.

Externe Organisation(en)

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung

Typ

Artikel

Journal

Semiconductor Science and Technology

Band

11

Seiten

1506-1511

Anzahl der Seiten

6

ISSN

0268-1242

Publikationsdatum

11.1996

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik, Werkstoffchemie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/11S/009 (Zugang: Unbekannt)