Magnetocapacitance study of the fractional-quantum-Hall effect

Quasiparticle charge and spin polarization

verfasst von: S. I. Dorozhkin, M. O. Dorokhova, R. J. Haug, K. Ploog
Abstract: By the method of capacitance spectroscopy and of magnetotransport we have investigated the v = 1/3 and 2/3 fractional-quantum-Hall-effect (FQHE) states in gated GaAs/AlGaAs heterojunctions with tuned electron areal density. Our experimental results confirm the theoretical prediction of the fractional quasiparticle charge e* = e/3 in the v = 1/3 FQHE state and of the existence of spin-aligned quasiholes and spin-reversed quasielectrons in the fully spin-polarized v = 2/3 FQHE state.
Externe Organisation(en): RAS - Institute of Solid State Physics
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
Typ: Artikel
Journal: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
Band: 1
Seiten: 59-61
Anzahl der Seiten: 3
ISSN: 1386-9477
Publikationsdatum: 19.01.1997
Publikationsstatus: Veröffentlicht
Peer-reviewed: Ja
ASJC Scopus Sachgebiete: Elektronische, optische und magnetische Materialien, Atom- und Molekularphysik sowie Optik, Physik der kondensierten Materie
Elektronische Version(en): https://doi.org/10.1016/S1386-9477(97)00011-8 (Zugang: Geschlossen)