Single-electron effects in slim semiconductor superlattices

verfasst von

T. Schmidt, R. J. Haug, K. V. Klitzing, K. Eberl

Abstract

We fabricated laterally confined GaAs-AlGaAs superlattices with diameters between 500 nm and 2 μm. With decreasing device diameter, a gap evolves in the current-voltage curve around zero bias and steps show up at the onset of the current. This behavior is interpreted in terms of Coulomb blockade, a depletion of the center of the superlattice, and single-electron tunneling through donor levels.

Externe Organisation(en)

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung

Typ

Artikel

Journal

Applied physics letters

Band

73

Seiten

1982-1984

Anzahl der Seiten

3

ISSN

0003-6951

Publikationsdatum

01.12.1998

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Physik und Astronomie (sonstige)

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1063/1.122342 (Zugang: Unbekannt)