Single-electron transistors with quantum dots

verfasst von

R. J. Haug, M. Dilger, T. Schmidt, R. H. Blick, K. V. Klitzing, K. Eberl

Abstract

Single-electron transistors can be fabricated in AlGaAs/GaAs heterostructures in different ways. Besides conventional ways to produce lateral and vertical tunneling structures the overgrowth of patterned substrates is presented as a new method to obtain complete transistors. Single-electron tunneling through single and coupled quantum dots is shown and the possibilities of doing spectroscopy of electronic states are discussed.

Externe Organisation(en)

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung

Typ

Artikel

Journal

Physica B: Condensed Matter

Band

227

Seiten

82-86

Anzahl der Seiten

5

ISSN

0921-4526

Publikationsdatum

09.1996

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1016/0921-4526(96)00356-0 (Zugang: Unbekannt)