Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures

verfasst von: T. Schmidt, M. Tewordt, R. J. Haug, K. Von Klitzing, A. Förster, H. Lüth
Abstract: Single-electron tunneling through laterally confined double-barrier heterostructures is studied as a function of the electron accumulation in the quantum dot. In the strong-charging case we observe a current-voltage staircase with smooth plateaus, whereas an intricate fine structure evolves on top of the plateaus under weak-charging conditions. Single-electron-tunneling spectroscopy in high magnetic fields is employed to demonstrate that both tunneling through excited quantum-dot levels and fluctuations of the local density of states in the emitter contribute to this fine structure. PACS numbers: 73.20.Dx, 73.40.Gk.
Externe Organisation(en): Max-Planck-Institut für Festkörperforschung
Deutsche Bank AG
Forschungszentrum Jülich
Typ: Artikel
Journal: Solid-State Electronics
Band: 40
Seiten: 15-19
Anzahl der Seiten: 5
ISSN: 0038-1101
Publikationsdatum: 01.01.1996
Publikationsstatus: Veröffentlicht
Peer-reviewed: Ja
ASJC Scopus Sachgebiete: Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik, Werkstoffchemie
Elektronische Version(en): https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00205-7 (Zugang: Unbekannt)