Influence of carrier cooling on the emission dynamics of semiconductor microcavity lasers

verfasst von

M. Hilpert, Martin R. Hofmann, C. Ellmers, Michael Oestreich, H. C. Schneider, F. Jahnke, Stephan W. Koch, W. W. Rühle, H. D. Wolf, D. Bernklau, H. Riechert, H. Klann

Abstract

We investigate the influence of carrier relaxation on the emission dynamics of a semiconductor microcavity laser. The structure is optically excited with energies of 1.477 down to 1.346 eV (resonant excitation). The stimulated emission dynamics clearly becomes faster for decreasing excitation energy and the influence of the light hole on the emission dynamics is demonstrated. Theoretical calculations reproduce the results only if the nonequilibrium carrier dynamics is treated on the basis of a microscopic model.

Externe Organisation(en)

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung
Philipps-Universität Marburg
Siemens AG

Typ

Artikel

Journal

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Band

204

Seiten

548-551

Anzahl der Seiten

4

ISSN

0370-1972

Publikationsdatum

11.1997

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1002/1521-3951(199711)204:1<548::AID-PSSB548>3.0.CO;2-B (Zugang: Unbekannt)