Lifetimes in aluminum-doped silicon

verfasst von

Jan Schmidt, Nils Thiemann, Robert Bock, Rolf Brendel

Abstract

The carrier lifetimes in screen-printed Al-p⁺ regions are shown to be 3 orders of magnitude larger than the values expected from the extrapolation of the lifetime data measured on Al-doped Czochralski-grown silicon wafers. Device simulations show that the lifetime of 130 ns measured in Al-p⁺ regions enable open-circuit voltages of 670 mV and efficiencies of 21% on n-type silicon wafers. These results prove that the efficiency potential of screen-printed Al-p⁺ emitters for the application to rear-junction n-type cells is much higher than traditionally assumed.

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

1732-1735

Anzahl der Seiten

4

Publikationsdatum

2009

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Steuerungs- und Systemtechnik, Wirtschaftsingenieurwesen und Fertigungstechnik, Elektrotechnik und Elektronik

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/PVSC.2009.5411443 (Zugang: Geschlossen)