Effect of carbon incorporation on SiGe heterobipolar transistor performance and process margin
- verfasst von
- H. J. Osten, G. Lippert, D. Knoll, R. Barth, B. Heinemann, H. Ruecker, P. Schley
- Abstract
We present the high-frequency characteristics of heterojunction bipolar transistors (HBTs) with SiGe:C base layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). We demonstrate peak fT/fmax values up to 75/65 GHz, and delay times per stage down to 15 ps for ring oscillators with integrated SiGe:C HBTs. The use of epitaxial SiGe:C layers instead of SiGe offers wider latitude in process margin, without affecting dc performance.
- Externe Organisation(en)
-
Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP)
- Typ
- Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift
- Journal
- Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
- Seiten
- 803-806
- Anzahl der Seiten
- 4
- ISSN
- 0163-1918
- Publikationsdatum
- 1997
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik, Werkstoffchemie
